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半导体芯片制造工(五级40课时)
半导体芯片制造工//
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介绍
目录

课程概述

适用学习对象:操作外延炉、高温氧化扩散炉、光刻机、淀积台等设备,制造半导体分立器件、集成电路、传感器芯片的人员,主要学习内容:半导体芯片制造基础知识、半导体制造工艺作业过程、半导体制造工艺质量控制。

课程目标

通过本课程学员需要掌握:半导体芯片制造基础知识、工艺环境、外延生长、氧化、扩散、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、退火、电子真空镀膜、工艺监控、半导体器件和集成电路电镀等知识和技能。

考核评价

考核的内容包括:半导体芯片制造基础知识、工艺环境、外延生长、氧化、扩散、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、退火、电子真空镀膜、工艺监控、半导体器件和集成电路电镀。考核的重点是:外延生长、化学气相淀积、光刻、刻蚀和工艺监控等板块。

讲师介绍

甄珍珍

详细介绍

适用学习对象:从事操作外延炉、高温氧化扩散炉、光刻机、淀积台等设备,制造半导体分立器件、集成电路、传感器芯片的人员。

主要学习内容为:半导体芯片制造基础知识、工艺环境、外延生长、氧化、扩散、化学气相淀积、光刻、刻蚀、离子注入、退火、电子真空镀膜、工艺监控、半导体器件和集成电路电镀。

重点难点:课程内容重点是工艺环境、化学气相淀积、光刻、刻蚀、工艺监控等。

半导体芯片制造基础知识
01.半导体集成电路基本知识

(2756s)

02.衬底材料

(2783s)

03.硅晶体的结构特点

(2820s)

04.硅晶体缺陷及杂质

(2781s)

05.硅片的制备

(2832s)

半导体芯片制造基础知识-章节练习题

(0s)

工艺环境
01.洁净区的定义、要求及组成

(2775s)

02.净化间洁净度控制

(2794s)

工艺环境-章节练习题

(0s)

外延生长
01.外延概述

(2777s)

02.气相外延(一)

(2768s)

03.气相外延(二)

(2801s)

04.分子束外延及其他外延方法

(2735s)

05.外延缺陷与外延层检测

(2733s)

外延生长-章节练习题

(0s)

氧化、扩散
01.硅的热氧化

(2816s)

02.氧化层的质量及检测

(2837s)

03.扩散工艺条件与方法

(2783s)

04.扩散工艺质量及检测

(2814s)

氧化、扩散-章节练习题

(0s)

化学气相淀积
01.CVD工艺原理

(2765s)

02.CVD工艺方法

(2793s)

03.二氧化硅薄膜的淀积

(2907s)

04.氮化硅薄膜淀积

(2862s)

化学气相淀积-章节练习题

(0s)

光刻
01.光刻概述

(2722s)

02.光刻工艺流程

(2738s)

03.光刻技术中的常见问题

(2810s)

04.光刻掩膜版的制造

(2735s)

05.光刻胶

(2743s)

06.光刻设备

(2755s)

光刻-章节练习题

(0s)

刻蚀
01.湿法刻蚀

(2790s)

02.干法刻蚀

(2744s)

03.刻蚀设备及检测

(2762s)

刻蚀-章节练习题

(0s)

离子注入
01.离子注入原理

(2742s)

02.离子注入设备与工艺

(2711s)

离子注入-章节练习题

(0s)

退火
01.退火

(2740s)

退火-章节练习题

(0s)

电子真空镀膜
01.PVD概述

(2807s)

02.蒸镀原理及设备

(2741s)

03.蒸镀工艺及质量控制

(2790s)

04.溅射原理及方法

(2723s)

05.其他溅射方法及质量控制

(2759s)

电子真空镀膜-章节练习题

(0s)

半导体器件和集成电路电镀
01.合金电镀与复合电镀

(2783s)

02.非晶态电镀及电镀展望

(2741s)

半导体器件和集成电路电镀-章节练习题

(0s)

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